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氏名
前田 佳均 (マエダ ヨシヒト)
MAEDA Yoshihito
所属専攻講座
大学院情報工学研究院
物理情報工学研究系
職名
教授
研究室住所
(日)飯塚市川津680-4
ホームページ
http://web1.kcn.jp/silicide/
メールアドレス
メールアドレス
研究分野・キーワード
(日)半導体材料・光物性工学
(英)semiconducting materials
出身大学
  • 京都大学  工学部  冶金学科

    大学 、 1982年03月 、 卒業 、 日本国

出身大学院
  • 京都大学  工学研究科  冶金学専攻

    修士課程 、 1984年03月 、 修了 、 日本国

取得学位
  • 博士(工学) (Doctor (Engineering)) 、 応用光学・量子光工学 (Applied optics/quantum optical engineering) 、 東京大学 (The University of Tokyo) 、 論文 、 1992年07月

学内職務経歴
  • 九州工業大学 大学院情報工学研究院 物理情報工学研究系 、 教授 、 2019年04月 ~ 継続中

    Department of Physics and Information Technology, Faculty of Computer Science and Systems Engineering, Kyushu Institute of Technology, Professor, 2019.04 -

  • 九州工業大学 大学院情報工学研究院 電子情報工学研究系 、 教授 、 2012年11月 ~ 2019年03月

    Department of Computer Science and Electronics, Faculty of Computer Science and Systems Engineering, Kyushu Institute of Technology, Professor, 2012.11 - 2019.03

学外略歴
  • 京都大学大学院 エネルギー科学研究科 、 准教授 、 2007年04月 ~ 2012年10月

  • 京都大学大学院 エネルギー科学研究科 、 助教授 、 2003年10月 ~ 2007年03月

  • 大阪府立大学 総合科学部 、 助教授 、 1996年04月 ~ 2003年09月

  • 大阪府立大学 総合科学部 、 講師 、 1995年04月 ~ 1996年03月

  • 株式会社日立製作所 、 研究員(副参事) 、 1984年04月 ~ 1995年03月

所属学会・委員会
  • 応用物理学会 、 1985年04月 ~ 継続中 、 日本国

  • 日本真空学会 、 1990年04月 ~ 継続中 、 日本国

  • 応用物理学会シリサイド系半導体と関連物質研究会 、 2000年11月 ~ 継続中 、 日本国

専門分野(科研費分類)
  • 応用物性・結晶工学 (Applied physical properties/crystal engineering)

  • ナノ構造科学 (Nano structural science)

専門分野(ReaD分類)
  • 電気材料

  • 光物性

  • 固体デバイス

論文(2006.4~)
  • 英語 、 Enhancement of photoluminescence from nanocrystal β-FeSi2/SiO2 composite and relaxation of thermal quenching 、 Jpn. J. Appl. Phys. 、 56巻 5号 (頁 05DD01 ~ ) 、 2017年02月 、 Maeda Yoshihito

    DOI:10.7567/JJAP.56.05DD01、 学術雑誌 、 単著 、 応用物性・結晶工学 、 電子・電気材料工学 、 物性I

  • 英語 、 Ion channeling measurements of β-FeSi films epitaxially grown on Si (111) and their analysis by multiple scattering theory 、 JJAP Conference Proceedings 、 5巻 0号 (頁 011104 ~ 011108) 、 2016年08月 、 Masaya Fuchi1, Mikihiro Arima1, Kazumasa Narumi2, Yoshikazu Terai1, Yoshihito Maeda

    国際会議proceedings 、 共著

  • 英語 、 Analysis of oxidation behavior in nanocrystal β-FeSi/Si composites by rutherford backscattering spectrometry and computation of diffusion flux 、 JJAP Conference Proceedings 、 5巻 0号 (頁 011105-1 ~ 011105-4) 、 2016年08月 、 Arima Mikihiro, Fuchi Masaya, Narumi Kazumasa, Maeda Yoshihito

    国際会議proceedings 、 共著

  • 英語 、 Time-resolved photoluminescence properties of ion-beam-synthesized β-FeSi2 and Si-implanted Si 、 Jpn. J. Appl. Phys. 、 54巻 7S2号 (頁 07JB05 ~ ) 、 2015年05月 、 Yoshikazu Terai and Yoshihito Maeda

    DOI:10.7567/JJAP.54.07JB05、 学術雑誌 、 イオンビーム合成 、 共著 、 応用物性・結晶工学 、 電子デバイス・電子機器 、 無機材料・物性

    論文を表示する

  • 英語 、 Photonic crystals composed of β-FeSi2 with amorphous Si cladding layers 、 Jpn. J. Appl. Phys. 、 54巻 7S2号 (頁 07JB03 ~ ) 、 2015年04月 、 Hiroki Tokushige, Takashi Endo, Keita Hiidome, Kenta Saiki, Shigehiro Kitamura, Toshio Katsuyama, Naoki Ikeda, Yoshimasa Sugimoto and Yoshihito Maeda

    DOI:10.7567/JJAP.54.07JB03、 学術雑誌 、 鉄シリサイド作製と議論 、 共著 、 応用光学・量子光工学 、 電子デバイス・電子機器 、 応用物性・結晶工学

    論文を表示する

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著書
  • 日本語 、 シリサイド系半導体の科学と技術:資源環境時代の新しい半導体と関連物質 、 裳華房 、 2014年10月 、 前田佳均 ほか10名

    Science and Technology of Semiconducting Silicides and Related Materials , Syokabou , 2014.10 ,

    単行本(学術書) 、 表紙,目次,索引,専門各省の執筆 全体の編集 、 編著 、 電子・電気材料工学 、 応用物性・結晶工学 、 薄膜・表面界面物性

  • 日本語 、 日本学術振興会薄膜第131委員会編,「薄膜ハンドブック」(第2版) 、 オーム社 、 2008年04月 、 前田佳均

    単行本(学術書) 、 4.24化合物半導体薄膜(V)Fe-Si薄膜の項 、 共著 、 応用物性・結晶工学 、 薄膜・表面界面物性 、 電子・電気材料工学

総説・解説記事
  • 日本語 、 分光データの情報学とその応用 、 日本分光 、 Jasco report 60(1) 2018-02 p.14-19 、 60巻 1号 (頁 14 ~ 19) 、 2018年02月 、 前田佳均

    Informatics of Spectral Data and Applications , Jasco , Jasco report 60(1) 2018-02 p.14-19 , vol.60 (1) (p.14 - 19) , 2018.02 , Maeda Yoshihito

    商業雑誌 、 単著

  • 日本語 、 高純度鉄が活躍する鉄シリサイド研究の現状 、 アグネ 、 金属 、 81巻 11号 (頁 66 ~ 71) 、 2011年11月 、 前田佳均

    商業雑誌 、 単著 、 応用物性・結晶工学 、 電子・電気材料工学

  • 日本語 、 Physics Procedia: Preface 、 Physics Procedia 、 Physics Procedia 、 11巻 、 2011年06月 、 Maeda Y.

    DOI:10.1016/j.phpro.2011.01.002、 大学紀要 、 単著

  • 日本語 、 鉄シリサイドの光学応用 、 応用物理学会 、 応用物理 、 79巻 2号 (頁 135 ~ 139) 、 2011年02月 、 前田佳均

    学会誌 、 単著 、 応用物性・結晶工学 、 電子・電気材料工学

研究発表(2006.4~)
  • APAC-SILICIDE 2016 、 その他の会議 (査読有り) 、 2016年06月 、 Fukuoka 、 Enhancement of photoluminescence from nanocrystal β-FeSi2/SiO2 composite and relaxation of thermal quenching 、 口頭(招待・特別)

  • APAC-SILICIDE 2016 、 その他の会議 (査読有り) 、 2016年06月 、 Fukuoka 、 Analysis of oxidation behavior in nanocrystal β-FeSi/Si composites by rutherford backscattering spectrometry and computation of diffusion flux (Analysis of oxidation behavior in nanocrystal β-FeSi/Si composites by rutherford backscattering spectrometry and computation of diffusion flux) 、 口頭(一般)

  • APAC-SILICIDE 2016 、 その他の会議 (査読有り) 、 2016年06月 、 Fukuoka 、 Ion channeling measurements of β-FeSi films epitaxially grown on Si(111) and their analysis by multiple scattering theory (Ion channeling measurements of β-FeSi films epitaxially grown on Si(111) and their analysis by multiple scattering theory ) 、 口頭(一般)

  • International conference and summer school on advanced silicide technology 2014 、 その他の会議 (査読有り) 、 2014年07月 、 東京理科大学葛飾キャンパス 、 Light emission from β-FeSi2 (Light emission from β-FeSi2) 、 口頭(招待・特別) 、 応用物性・結晶工学 、 電子・電気材料工学

  • International Conference and Summer School on Advanced Silicide Technlogy 2014 (International Conference and Summer School on Advanced Silicide Technlogy 2014) 、 その他の会議 (査読有り) 、 2014年07月 、 IR absorption analysis of oxidation behaviors of nano-composite phases with β-FeSi2 nanocrystals and Si (IR absorption analysis of oxidation behaviors of nano-composite phases with β-FeSi2 nanocrystals and Si) 、 ポスター(一般) 、 応用物性・結晶工学 、 電子・電気材料工学

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講演
  • 第78回応用物理学会秋季学術講演会,

    その他 、 半導体シリサイドのバンドギャップエネルギーのベイズ回帰分析 、 福岡市 、 2017年09月

  • 応用物理学会シリサイド系半導体と関連物質研究会 2017年夏の学校,

    招待講演 、 データ駆動型物性探索の基礎と実践 、 浜名湖ロイヤルホテル 静岡 、 2017年07月

  • 第64回応用物理学会春季学術講演会,

    その他 、 シリサイド半導体のバンドギャップの線形回帰分析 、 横浜市 、 2017年03月

  • 第64回応用物理学会春季学術講演会,

    その他 、 四面体型半導体の誘電率の線形回帰分析 、 横浜市 、 2017年03月

  • 第1回量子科学技術研究開発機構 高崎研シンポジウム,

    その他 、 MBE成長β-FeSi2/Siヘテロエピタキシャル界面の評価 、 高崎量子応用研究所 、 2017年01月

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担当授業科目
  • 2018年度 、 ナノデバイス科学特論 、 2018年06月 ~ 2018年09月 、 専任

  • 2018年度 、 現代物理学Ⅱ 、 2018年04月 ~ 2018年06月 、 専任

  • 2017年度 、 現代物理学Ⅱ 、 2017年04月 ~ 2017年06月 、 専任

  • 2016年度 、 ナノデバイス科学特論 、 2016年06月 ~ 2016年09月 、 専任

  • 2016年度 、 現代物理学Ⅱ 、 2016年04月 ~ 2016年06月 、 専任

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学会・委員会等活動
  • 応用物理学会シリサイド系半導体と関連物質研究会 、 幹事 、 2014年01月 ~ 継続中

  • 応用物理学会シリサイド系半導体と関連物質研究会 、 委員長 、 2001年11月 ~ 2003年12月

提供可能な資源
  • 半導体鉄シリサイドナノ結晶

    1.55um帯のフォトルミネッセンスの標準試料として利用できる.試料形態:シリコン基板内部に形成した数ナノメートルのナノ結晶の集合体.

おすすめURL
  • シリサイド系電子材料研究室 (前田研究室)のホームページ(学外サーバー)

    http://web1.kcn.jp/silicide/index

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    電気工学

2019/05/07 更新