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氏名
内藤 正路 (ナイトウ マサミチ)
NAITOH Masamichi
所属専攻講座
大学院工学研究院
電気電子工学研究系
職名
教授
研究室住所
(日)福岡県北九州市戸畑区仙水町1-1
(英)1-1 Sensui, Tobata, Kitakyushu, Fukuoka 804-8550, Japan
研究室FAX
(日)093-884-3266
(英)+81-93-884-3266
ホームページ
http://www.surf.ele.kyutech.ac.jp/
メールアドレス
メールアドレス
研究分野・キーワード
(日)半導体表面、走査トンネル顕微鏡、カーボンナノチューブ、グラフェン、ビスマス、水素吸着、シリコン、シリコンカーバイド、自己組織化、表面変性
(英)Semiconductor surface, Scanning tunneling microscopy, Carbon nanotube, Graphene, Bismuth, Hydrogen adsorption, Silicon, Silicon carbide, Self-assembly, Surface modification
出身大学
  • 大阪大学  工学部  電子工学

    大学 、 1989年03月 、 卒業 、 日本国

出身大学院
  • 大阪大学  工学研究科  電子工学

    修士課程 、 1991年03月 、 修了 、 日本国

  • 大阪大学  工学研究科  電子工学

    博士課程 、 1994年03月 、 修了 、 日本国

取得学位
  • 博士(工学) (Doctor of Engineering) 、 薄膜・表面界面物性 (Thin film and surface interface physical properties) 、 大阪大学 (Osaka University) 、 課程 、 1994年03月

学内職務経歴
  • 九州工業大学 大学院工学府 、 工学府電気電子工学専攻長 、 2017年04月 ~ 2018年03月

    ,

  • 九州工業大学 大学院生命体工学研究科 生体機能応用工学専攻 、 教授 、 2014年04月 ~ 継続中

    Department of Biological Functions Engineering, Graduate School of Life Science and Systems Engineering, Kyushu Institute of Technology, Professor, 2014.04 -

所属学会・委員会
  • 北九州学術研究都市 産学連携フェア実行委員会 、 2013年04月 ~ 2015年03月 、 日本国

  • 日本表面科学会 、 2003年06月 ~ 継続中 、 日本国

    The Surface Science Society of Japan , 2003.06 - , JAPAN

  • 日本真空学会 、 2001年07月 ~ 継続中 、 日本国

    The Vacuum Society of Japan , 2001.07 - , JAPAN

  • 日本物理学会 、 1990年11月 ~ 2017年12月 、 日本国

    The Physical Society of Japan , 1990.11 - 2017.12 , JAPAN

  • 応用物理学会 、 1989年08月 ~ 継続中 、 日本国

    The Japan Society of Applied Physics , 1989.08 - , JAPAN

専門分野(科研費分類)
  • ナノ材料・ナノバイオサイエンス (Nano materials/nano bioscience)

  • 薄膜・表面界面物性 (Thin film and surface interface physical properties)

論文(2006.4~)
  • 英語 、 Effect of ion-beam irradiation on the epitaxial growth of graphene via the SiC surface decomposition method 、 Japanese Journal of Applied Physics 、 56巻 (頁 085104 ~ ) 、 2017年07月 、 J. Ishii, Y. Miyawaki, T. Yamasaki, T. Ikari, M. Naitoh

    DOI:10.7567/JJAP.56.085104、 学術雑誌 、 共著

  • 英語 、 The thermal radiation effect of substrate on nano-microsized particles levitating in low-pressure reactive plasmas 、 Applied Materials Today 、 7巻 (頁 185 ~ 189) 、 2017年06月 、 Tatsuzo Nagai, Masamichi Naitoh, Fumiya Shoji

    DOI:10.1016/j.apmt.2017.02.007、 学術雑誌 、 共著 、 ナノ材料・ナノバイオサイエンス

  • 英語 、 Electronic structure of MePc/Si(100) surface studied using metastable-atom induced electron spectroscopy 、 e-Journal of Surface Science and Nanotechnology 、 14巻 (頁 141 ~ 143) 、 2016年05月 、 T. Ikari, K. Matsuo, S. Uesugi, D. Todo, J. Ishii, M. Naitoh

    DOI:10.1380/ejssnt.2016.141、 学術雑誌 、 共著

  • 英語 、 Growth of graphene on SiC(111) surfaces via- ion beam irradiation 、 e-Journal of Surface Science and Nanotechnology 、 14巻 (頁 121 ~ 124) 、 2016年04月 、 J. Ishii, Y. Miyawaki, N. Tsuboi, T. Ikari, M. Naitoh

    DOI:10.1380/ejssnt.2016.121、 学術雑誌 、 共著

  • 英語 、 First-principles calculation study of epitaxial graphene layer on 4H-SiC (0001) surface 、 e-Journal of Surface Science and Nanotechnology 、 14巻 (頁 107 ~ 112) 、 2016年04月 、 J. Ishii, S. Matsushima, H. Nakamura, T. Ikari, M.Naitoh

    DOI:10.1380/ejssnt.2016.107、 学術雑誌 、 共著

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著書
  • 日本語 、 薄膜作製応用ハンドブック 、 エヌ・ティー・エス 、 1995年11月 、 権田俊一監修,内藤正路(132名の執筆者の中の一人)

    事典・辞書 、 第3編第4章第6節 、 共著 、 薄膜・表面界面物性

総説・解説記事
  • 日本語 、 自己組織化形成カーボンナノチューブによるナノデバイス創製 、 日本板硝子材料工学助成会 、 日本板硝子材料工学助成会成果報告書 、 2012年06月 、 内藤正路

    Self-organized formatioh of high-alignment carbon nanotubes and aplication for nano-devices , 2012.06

    その他 、 単著

  • 日本語 、 シリコンカーバイド表面の原子スケール解析とサーファクタントによる新機能開拓 、 未設定 、 マツダ財団研究報告書 、 15巻 (頁 201 ~ 208) 、 2003年04月 、 内藤正路,西垣敏,遠山尚武,生地文也

    その他 、 共著 、 薄膜・表面界面物性

  • 日本語 、 走査トンネル顕微鏡による表面原子の観察と操作 、 未設定 、 明専会報771号 (頁 9 ~ 11) 、 2001年05月 、 内藤正路

    その他 、 単著 、 薄膜・表面界面物性

  • 日本語 、 半導体表面における水素原子のサーファクタント作用の解明と新機能抽出に関する研究 、 未設定 、 財団法人池谷科学技術振興財団年報 、 11巻 (頁 41 ~ 42) 、 2000年04月 、 内藤正路

    その他 、 単著 、 薄膜・表面界面物性

  • 日本語 、 吸着水素の半導体表面変性効果による新物質創製(最終報告) 、 未設定 、 財団法人岩谷直治記念財団研究報告書 、 23巻 (頁 19 ~ 22) 、 2000年04月 、 内藤正路,西垣敏

    その他 、 共著 、 薄膜・表面界面物性

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学術関係受賞
  • 日本真空協会第10回真空進歩賞 (VSJ The Vacuum Progress Award) 、 2001年10月17日 、 日本国 、 学会誌・学術雑誌による顕彰 、 日本真空協会 、 未設定

研究発表(2006.4~)
  • 九州表面・真空研究会2017(第22回九州薄膜・表面研究会) 、 その他の会議 (査読無し) 、 2017年06月 、 佐賀大学 、 アルカリ金属及び酸素吸着したSiC(0001)- (6√3×6√3)R30°表面の電子状態 、 口頭(一般) 、 ナノ材料・ナノバイオサイエンス

  • 九州表面・真空研究会2017(第22回九州薄膜・表面研究会) 、 その他の会議 (査読無し) 、 2017年06月 、 佐賀大学 、 MIESによるCuPc/SiC(0001)-(1×1)表面の電子状態観測 、 口頭(一般) 、 ナノ材料・ナノバイオサイエンス

  • 九州表面・真空研究会2017(第22回九州薄膜・表面研究会) 、 その他の会議 (査読無し) 、 2017年06月 、 佐賀大学 、 DCメタンプラズマCVDを利用したナノダイヤモンド合成に関するシース作用 、 口頭(一般) 、 ナノ材料・ナノバイオサイエンス

  • Interdisciplinary Symposium for Up-and-comingMaterial Scientists 2017 (Interdisciplinary Symposium for Up-and-comingMaterial Scientists 2017) 、 その他の会議 (査読有り) 、 2017年06月 、 大阪府豊中市 、 Oxidation of Cs/6H-SiC(0001) surface studied by metastable-atom induced electron spectroscopy (Oxidation of Cs/6H-SiC(0001) surface studied by metastable-atom induced electron spectroscopy) 、 ポスター(一般)

  • 第64回応用物理学関係連合講演会 、 その他の会議 (査読有り) 、 2017年03月 、 パシフィコ横浜 、 DCメタンプラズマによるナノダイヤモンド合成に及ぼすシースの効果 、 口頭(一般) 、 応用物性・結晶工学

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担当授業科目
  • 2016年度 、 半導体ナノデバイスプロセス 、 2016年10月 ~ 2017年03月 、 専任

  • 2016年度 、 電気電子物性 、 2016年04月 ~ 2016年09月 、 専任

  • 2016年度 、 電気回路Ⅱ 、 2016年04月 ~ 2016年09月 、 専任

  • 2015年度 、 半導体ナノデバイスプロセス 、 2015年10月 ~ 2016年03月 、 専任

  • 2015年度 、 電気電子物性 、 2015年04月 ~ 2015年09月 、 専任

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学内委員会等
  • 大学院工学府入学定員管理会議委員 、 2017年04月 ~ 2018年03月

  • 工学府電気電子工学専攻長 、 2017年04月 ~ 2018年03月

  • 共同研究・受託研究に係る受入審査代理委員 、 2016年04月 ~ 継続中

  • 6年一貫教育対策室 、 2016年04月 ~ 継続中

  • 生体機能応用工学専攻就職担当 、 2016年01月 ~ 継続中

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学会・委員会等活動
  • 日本表面科学会 、 九州支部役員 、 2016年04月 ~ 継続中

  • 日本真空学会 、 関西支部役員 、 2014年01月 ~ 継続中

  • 応用物理学会 、 薄膜・表面物理分科会幹事 、 2009年04月 ~ 継続中

  • 日本表面科学会 、 関西支部役員 、 2009年04月 ~ 2016年03月

  • 日本真空学会 、 関西支部役員 、 2008年01月 ~ 2010年12月

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学外の社会活動(高大・地域連携等)
  • 学研都市サイエンスカフェ 、 2013年08月

  • 第53回九州工業大学ジュニア・サイエンス・スクール 、 2011年12月

  • カーボンナノチューブによる半導体ナノテクノロジー -カーボンナノチューブとは?- 、 2010年07月

  • カーボンナノチューブによる半導体ナノテクノロジー -カーボンナノチューブとは?- 、 2010年06月

奨学寄附金等
  • 財団法人日本板硝子材料工学助成会 、 2009年04月

  • 財団法人マツダ財団 、 2000年12月

  • 財団法人 吉田学術教育振興会 、 2000年04月

  • 財団法人 池谷科学技術振興財団 、 1999年04月

  • 財団法人 村田学術振興財団 、 1998年08月

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科研費(文科省・学振)獲得実績
  • 基盤研究(C) 、 2007年04月 ~ 2009年03月 、 シリコンカーバイド基板上での高密度高配向ピーポッドの創製

    研究課題番号:19510118

  • 特別推進研究 、 2005年04月 ~ 2010年03月 、 水素―表面反応基礎過程:スピン効果、反応ダイナミックス、及び星間水素分子の起源

    研究課題番号:17002011

  • 基盤研究(B) 、 2004年04月 ~ 2007年03月 、 高配向・高密度カーボンナノチューブの自己組織化形成とナノデバイス応用

    研究課題番号:16310089

  • 萌芽研究・萌芽的研究 、 2003年04月 ~ 2005年03月 、 一次元原子鎖制御によるシリコン・ナノアーキテクチャ

    研究課題番号:15651056

  • 基盤研究(B) 、 2001年04月 ~ 2004年03月 、 表面最外層領域で準安定原子・イオンにより誘起されたオージェ電子の回折と局所構造

    研究課題番号:13440098

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2017/11/01 更新