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氏名
大村 一郎 (オオムラ イチロウ)
OMURA Ichiro
所属専攻講座
大学院生命体工学研究科
生体機能応用工学専攻
職名
教授
研究室電話
(英)+81-93-695-6037
研究室FAX
(英)+81-93-695-6037
研究分野・キーワード
(日)パワーデバイス、電力用半導体素子、パワーエレクトロニクス
(英)Power Semiconductor Devices, Power Electronics
出身大学
  • 大阪大学  理学部  数学科

    大学 、 1985年03月 、 卒業 、 日本国

出身大学院
  • 大阪大学  理学系研究科

    修士課程 、 1987年03月 、 修了 、 日本国

取得学位
  • 工学博士 (Doctor of Engineering) 、 未入力 (Other) 、 スイス連邦工科大学 (Swiss Federal Institute of Technology) 、 論文 、 2001年08月

学内職務経歴
  • 九州工業大学 大学院工学研究院 電気電子工学研究系 、 教授 、 2008年04月 ~ 継続中

    Department of Electrical Engineering and Electronics, Faculty of Engineering, Kyushu Institute of Technology, Professor, 2008.04 -

専門分野(科研費分類)
  • パワーエレクトロニクス (Electric power engineering/electric equipment engineering)

論文(2006.4~)
  • 英語 、 Tiny-scale ‘‘stealth’’ current sensor to probe power semiconductor device failure 、 Microelectronics Reliability51号 (頁 1689 ~ 1692) 、 2011年10月 、 Yuya Kasho, Hidetoshi Hirai, Masanori Tsukuda, Ichiro Omura

    DOI:10.1016/j.microrel.2011.06.015、 学術雑誌 、 共著

  • 英語 、 "Design for EMI" approach on power PiN diode reverse recovery 、 Microelectronics Reliability51号 (頁 1972 ~ 1975) 、 2011年10月 、 M. Tsukuda, K. Kawakami, K. Takahama, I. Omura

    学術雑誌 、 共著

  • 英語 、 Structure oriented compact model for advanced trench IGBTs without fitting 、 Microelectronics Reliability51号 (頁 1933 ~ 1937) 、 2011年10月 、 M. Tanaka, I. Omura

    学術雑誌 、 共著

  • 英語 、 Ultra Low Loss Trench Gate PCI-PiN Diode with VF<350mV 、 Proceedings of the 23rd International Symposium on Power Semiconductor Devices & IC's 、 2011年05月 、 Motohiro Tsuda, Yasuaki Matsumoto, and Ichiro Omura

    DOI:10.1109/ISPSD.2011.5890796、 学術雑誌 、 共著

  • 英語 、 Full Digital Short Circuit Protection for Advanced IGBTs 、 Proceedings of the 23rd International Symposium on Power Semiconductor Devices & IC's 、 2011年05月 、 Takuya Tanimura, Kazufumi Yuasa and Ichiro Omura

    DOI:10.1109/ISPSD.2011.5890790、 学術雑誌 、 共著

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研究発表(2006.4~)
  • 電気学会 電子デバイス/半導体電力変換合同研究会 (The Papers of Joint Technical Meeting on Electron Devices and Semiconductor Power Converter, IEE Japan ) 、 その他の会議 (査読無し) 、 2011年11月 、 島根 、 PiNダイオードの逆回復時高周波振動の検討 (Discussion of High Frequency Oscillation on Power PiN Diode) 、 口頭(一般)

  • 電気学会 電子デバイス/半導体電力変換合同研究会 (The Papers of Joint Technical Meeting on Electron Devices and Semiconductor Power Converter, IEE Japan ) 、 その他の会議 (査読無し) 、 2011年11月 、 島根 、 InAs赤外線センサを用いたパワー半導体チップ用高速温度測定技術についての検討 (High speed temperature measurement with InAs infrared sensor for power semiconductor chips) 、 口頭(一般)

  • 電気学会 電子デバイス/半導体電力変換合同研究会 (The Papers of Joint Technical Meeting on Electron Devices and Semiconductor Power Converter, IEE Japan ) 、 その他の会議 (査読無し) 、 2011年11月 、 島根 、 フルデジタル回路によるIGBTの高速短絡保護 (Full Digital Short Circuit Protection for Advanced IGBTs) 、 口頭(一般)

  • 未入力 、 その他の会議 (査読無し) 、 2009年04月 、 磁界プローブによるVRMボード表面実装パワーMOSFETの非破壊電流測定法の開発 、 口頭(一般)

  • 電気学会合同研究会 、 その他の会議 (査読無し) 、 2008年04月 、 EMIノイズとスイッチング損失を考慮したIGBT の限界設計 、 口頭(一般)

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講演
  • 電子情報通信学会総合大会,

    招待講演 、 パワーデバイスの将来とその役割:「Si×WBG」から「Si+WBG」へ 、 岡山 、 2012年03月

  • ECPE Workshop Future Trends for Power Semiconductors,

    招待講演 、 Si, SiC, GaN - How Will They Share Future Applications? 、 ETH Zurich 、 2012年01月

  • IWPSD2011,

    招待講演 、 IGBT: History, Principle and the Future 、 インド カンプール 、 2011年12月

  • 3rd Global COE International Symposium--Electronic Devices Innovation --EDIS2011,

    招待講演 、 Future Role of Power Devices: From "Si or WBG" to "Si and WBG" 、 大阪 、 2011年12月

  • SISPAD 2011 Companion Work Shop,

    基調講演 、 Introduction: Future Role of Power Electronics and Power Devices toward Low Carbon Society 、 大阪 、 2011年09月

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担当授業科目
  • 2016年度 、 半導体トピックセミナー 、 2016年10月 ~ 2017年03月 、 専任

  • 2016年度 、 電気電子計測Ⅱ 、 2016年10月 ~ 2017年03月 、 専任

  • 2016年度 、 半導体デバイス工学特論 、 2016年04月 ~ 2016年09月 、 専任

  • 2016年度 、 電磁気学Ⅳ 、 2016年04月 ~ 2016年09月 、 専任

  • 2015年度 、 電気電子計測Ⅱ 、 2015年10月 ~ 2016年03月 、 専任

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科研費(文科省・学振)獲得実績
  • 基盤研究(B) 、 2010年04月 ~ 2013年03月 、 新原理に基づく革新的シリコン省エネダイオード

    研究課題番号:22360118

2017/10/13 更新