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氏名
和泉 亮 (イズミ アキラ)
IZUMI Akira
所属専攻講座
大学院工学研究院
電気電子工学研究系
職名
教授
研究分野・キーワード
(日)
(英)
出身大学
  • 電気通信大学  電気通信学部  材料科

    大学 、 1990年03月 、 卒業 、 日本国

出身大学院
  • 東京工業大学  総合理工学研究科  電子システム

    博士課程 、 1996年03月 、 修了 、 日本国

取得学位
  • 博士(工学) (Doctor of Engineering) 、 未入力 (Other) 、 東京工業大学 (Tokyo Institute of Technology) 、 課程 、 1996年03月

学内職務経歴
  • 九州工業大学 大学院工学府 電気電子工学専攻 専攻長 、 教授 、 2013年04月 ~ 2014年03月

    Department of Electrical Engineering and Electronics, Graduate School of Engineering, Kyushu Institute of Technology, Professor, 2013.04 - 2014.03

  • 九州工業大学 大学院工学研究院 電気電子工学研究系 、 教授 、 2009年10月 ~ 継続中

    Department of Electrical Engineering and Electronics, Faculty of Engineering, Kyushu Institute of Technology, Professor, 2009.10 -

論文(2006.4~)
  • 英語 、 Low-temperature silicon oxidation using oxidizing radicals produced by catalytic decomposition of H 、 Jpn. J. Appl. Phys. 、 57巻 12号 、 2018年10月 、 Katamune Yūki, Negi Takanobu, Tahara Shinichi, Fukushima Kazuya, Izumi Akira

    DOI:10.7567/JJAP.57.120301、 学術雑誌 、 共著

  • 英語 、 Growth of diamond thin films on SiCN underlayers by hot filament chemical vapor deposition 、 Thin Solid Films 、 635巻 (頁 53 ~ 57) 、 2017年08月 、 Katamune Y., Mori H., Izumi A.

    DOI:10.1016/j.tsf.2016.12.010、 学術雑誌 、 共著

  • 英語 、 Evaluation of friction coefficient and adhesion properties of silicon carbon nitride films prepared by HWCVD 、 Acta Physica Polonica A 、 131巻 3号 (頁 463 ~ 466) 、 2017年03月 、 Yamada T., Iseda T., Kadotani Y., Izumi A.

    DOI:10.12693/APhysPolA.131.463、 学術雑誌 、 共著

  • 日本語 、 加熱触媒体によるOHラジカルの生成とSiの低温酸化条件の検討 、 表面科学学術講演会要旨集 、 36巻 0号 、 2016年01月 、 大戸 崇伸, 片宗 優貴, 和泉 亮

    Study of low-temperature oxidation of silicon and OH radical generation by heated catalyzer , Abstract of annual meeting of the Surface Science of Japan , vol.36 (0) , 2016.01 , Negi Takanobu, Katamune Yuki, Izumi Akira

    DOI:10.14886/sssj2008.36.0_368、 その他 、 共著

  • 英語 、 A 12GHz band low noise block for satellite receiver development with 0.18μm CMOS Process 、 IEEJ Transactions on Electronics, Information and Systems 、 134巻 11号 (頁 1656 ~ 1663) 、 2014年11月 、 Miyashita K., Izumi A.

    DOI:10.1541/ieejeiss.134.1663、 学術雑誌 、 共著

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研究発表(2006.4~)
  • 第3回Cat-CVD研究会講演要旨集 、 その他の会議 (査読無し) 、 2006年06月 、 長岡 、 有機液体原料を用いたHWCVD法によるSiCN薄膜の耐候性評価 、 口頭(一般)

  • 第3回Cat-CVD研究会講演要旨集 、 その他の会議 (査読無し) 、 2006年06月 、 長岡 、 有機液体原料を用いたHW-CVD法によるSiCN薄膜の堆積とその電気的特性評価 、 口頭(一般)

  • 新規な薄膜・表面現象とその応用の最前線関する研究会((兼)第11回九州薄膜・表面研究会) 、 その他の会議 (査読無し) 、 2006年06月 、 北九州 、 加熱触媒体により生成した原子状水素による金属の洗浄 、 口頭(一般)

  • 新規な薄膜・表面現象とその応用の最前線関する研究会((兼)第11回九州薄膜・表面研究会) 、 その他の会議 (査読無し) 、 2006年06月 、 北九州 、 有機液体原料を用いたホットワイヤーCVD法におけるシリコン炭窒化膜の堆積 、 口頭(一般)

担当授業科目
  • 2018年度 、 集積回路プロセス特論 、 2018年10月 ~ 2018年12月 、 専任

  • 2018年度 、 電気電子工学実験入門 、 2018年04月 ~ 2018年09月 、 専任

  • 2017年度 、 電気回路Ⅰ 、 2017年12月 ~ 2018年03月 、 専任

  • 2017年度 、 半導体デバイス 、 2017年10月 ~ 2017年12月 、 専任

  • 2017年度 、 集積回路プロセス特論 、 2017年10月 ~ 2017年12月 、 専任

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科研費(文科省・学振)獲得実績
  • 基盤研究(C) 、 2013年04月 ~ 2016年03月 、 高密度ラジカル法による界面制御層を導入したパワーデバイス用絶縁膜の形成

    研究課題番号:25420290

  • 基盤研究(C) 、 2005年04月 ~ 2007年03月 、 高密度ラジカル処理法による基板表面の超親水化と高品質絶縁膜の形成

    研究課題番号:17560009

  • 若手研究(B) 、 2002年04月 ~ 2004年03月 、 界面制御層を導入した高品質ゲート絶縁膜の低温形成

    研究課題番号:14750008

2019/05/07 更新